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长江存储首款晶栈4.0 UFS 4.1芯片:0.85毫米超薄做到1TB
2025-03-13 05:55:09  出处:快科技 作者:上方文Q 编辑:上方文Q     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接对文章内容进行纠错

快科技3月13日消息,除了SSD固态硬盘,UFS嵌入式存储也将是长江存储的重点方向,深圳闪存市场峰会上就公开了三款强大的新品。

长江存储首款晶栈4.0 UFS 4.1芯片:0.85毫米超薄做到1TB

UC420:

长江存储首款支持UFS 4.1标准的嵌入式闪存芯片,首次基于晶栈4.0架构。

容量可选256GB、512GB、1TB,也是长江存第一颗1TB UFS芯片。

但是,它的厚度只有0.85毫米,超薄的封装使之非常适合折叠屏手机。

即便如此,仍然可以做到饱和带宽与满血性能,堪称业界标杆,非常适合旗舰机型。

此外,它还可以满足各家AI旗舰手机的特色功能定制。

长江存储首款晶栈4.0 UFS 4.1芯片:0.85毫米超薄做到1TB

长江存储首款晶栈4.0 UFS 4.1芯片:0.85毫米超薄做到1TB

长江存储首款晶栈4.0 UFS 4.1芯片:0.85毫米超薄做到1TB

UC341:

已广泛用于众多准旗舰国产手机,基于晶栈3.0,支持UFS 3.1,容量128GB、256GB、512GB。

尽管只有单通道,但依然可以做到高性能,对比上代顺序读写提升36%,随机读写提升30%,从而大幅缩短App启动、加载时间,切换也更加流畅。

功耗也显著低于行业平均水平,有利于延长续航。

长江存储首款晶栈4.0 UFS 4.1芯片:0.85毫米超薄做到1TB

长江存储首款晶栈4.0 UFS 4.1芯片:0.85毫米超薄做到1TB

长江存储首款晶栈4.0 UFS 4.1芯片:0.85毫米超薄做到1TB

UC260:

也是基于晶栈4.0架构,容量可选128GB、256GB、512GB。

支定位主流,支持UFS 2.2,也是业界第一颗512GB UFS 2.2闪存芯片。

随机读写性能依然超过20万IOPS,对比上代顺序性能提升30%,随机性能提升超过50%。

同时,能效比也提升了20%以上。

【本文结束】如需转载请务必注明出处:快科技

责任编辑:上方文Q

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