6月3日消息，据媒体报道，全球科技巨头软银集团与芯片制造商英特尔近日宣布达成战略合作，共同开发具有划时代意义的AI专用内存芯片。这项合作将致力于突破当前AI计算中的能耗瓶颈，有望将芯片功耗降低50%，为全球AI基础设施建设带来革命性变化。

据悉，双方将研发一种创新的堆叠式DRAM芯片，采用全新的布线架构，完全不同于现有高带宽内存（HBM）技术方案。这一突破性设计不仅大幅提升能效比，更将为AI数据中心的绿色转型提供关键技术支持。业内专家指出，该技术若能成功商业化，将显著降低AI计算的运营成本，对推动可持续发展具有重要意义。

为推进这一重大项目，双方联合成立了专门公司Saimemory。该公司将整合英特尔的核心芯片技术与东京大学等日本顶尖科研机构的专利成果，形成独特的技术优势。

在运营模式上，Saimemory将专注于芯片设计和专利管理，制造环节则委托专业代工厂完成，这种分工协作模式有望最大化研发效率。

根据项目规划，研发团队将在两年内完成芯片原型设计，之后启动量产评估程序，目标是在本世纪二十年代末实现商业化应用。项目总投资额预计达100亿日元（约合5亿元人民币），其中软银作为领投方已承诺注资30亿日元（约1.5亿元人民币）。

值得注意的是，日本理化学研究所和神港精机等机构也表现出浓厚兴趣，可能以资金或技术支持方式参与合作。项目方还计划寻求政府层面的政策支持，为技术研发和产业化创造更有利条件。

软银集团明确表示，这款突破性的内存芯片将优先应用于其自建的AI训练数据中心。随着AI技术在企业管理、智能制造等高端领域的深度应用，市场对高性能、低功耗计算硬件的需求正呈现指数级增长。