GF114核心特写

40nm的GF114核心。核心内集成19.5亿晶体管，拥有384个CUDA核心，64个纹理单元，32个光栅单元。公版卡默认核心频率为822MHz，影驰新款GTX 560 Ti HOF大幅超频至950MHz，在非公版GTX 560 Ti显卡中算是相当高的了。不过即便如此高的频率依然没有发挥出名人堂的全部水平，上一款名人堂GTX 560 Ti就将默认核心频率设定为1GHz，所以我们有理由相信还有一部分频率空间可以挖掘。

显存颗粒

海力士GDDR5 0.4ns显存颗粒，单颗容量128MB，正面8颗组成1024MB/256-bit的显存规格，4400MHz的等效频率同样大幅超出公版的4008MHz。按照我们以往的经验，由于显存控制器的原因，N卡的显存频率普遍不高，所以4400MHz再往上应该不会有太多余量。

核心供电部分应该是新款GTX 560 Ti名人堂相比老款的最大区别。在上一版GTX 460/GTX 560 Ti名人堂显卡上，核心供电使用了上采用了6相Votellra数字供电方案（常见于AMD高端公版卡），每相40A电流，CSP封装，最高可以保持88%的供电效率。总的来说，算是非公版GTX 460/GTX 560 Ti供电模块的巅峰之作。

核心/显存供电部分，为了满足显卡最大化的供电需求采用6+8pin外接供电

核心供电主控CHiL CHL 8266

而新款GTX 560 Ti名人堂同样采用了6相核心供电，只不过换成了后来比较流行的CHiL数控方案，核心主控为曾用在GTX 580身上的CHL 8266 PWM芯片，最高支持六项供电电路，最大输出电流可达200A，最高电压2V，最高支持400W的GPU。要说采用这款主控的非公版也不少，也并不稀奇。不过需要注意的是，仅采用CHL 8266主控最多只能算是版数字状态，MOSFET的选用同样是供电方案优劣的重要方面。那新一代名人堂有采用了何种MOSFET呢？

IR公司出品的R3550M

说起MOSFET，品种繁多，封装方式也各种各样，不过要说极品依然是非DRMOS莫属。相比普通MOSFET，DRMOS在集成度以及电气性能上都要高一个层次，所以经常见于极个别的高端主板以及显卡上。不过在DRMOS之中也有高低之分，目前最顶级的型号为IR于今年5月份推出的IR3550M，可以相输出60A的极限电流（普通只有30A左右），转换效率也要高于瑞萨R2J20651NP、Vishay SIC779CD等型号。而新一代GTX 560 Ti正式采用这种DRMOS，配合CHL8266主控可以为显卡提供高达360A稳定电流输出，可以说专为极限超频用户打造。除此之外，输出和输出端电容均来自台湾万裕，而电感则是全封闭铁素体电感。

2相显存供电

两相显存供电分别配备一上两下Magnachip出品PowerFlat56封装的Mosfet，型号分别为MDU2657（上桥）和MDU2654（下桥），以及R33贴片电感。输出和输出端电容和核心供电一样来自台湾万裕。

不明功能的14针接口

以及三档开关

另外值得一提的是，在6+8pin供电接口附件，我们还看到了一个14针脚接口，与之对应的还有PCB背面的三档设定开关。不过目前具体功能还未透露，影驰称会在年底的广州嘉年华首次展示。不过我们猜测这应该还是和超频有关，14针接口用来连接显示设备，可对显卡的详细参数进行调整，而三档开关应该和其它一些显卡一样用来调节显卡的电压。另外影驰还称，未来还会有黑色PCB版本的名人堂显卡，感兴趣的朋友不妨关注一下。