840系列是三星面向低端入门级市场推出的固态硬盘，虽然用了很多人“不齿”的TLC NAND闪存，但因为价格便宜、性能过得去而广受欢迎，装机点名率非常高，而且事实证明，TLC闪存并没有那么不靠谱，128GB型号在典型负载下都可以使用超过11年。

现在，三星又推出了它的继任者840 EVO，规格、性能全面增强，价格也依然足够低廉，能否延续神话呢？AnandTech近日就对其做了一个非常深入的评测，而且一下子就凑齐了全部五款型号。

【840 EVO规格简析】

840 EVO使用的是1xnm新工艺的TLC，确切地说是19nm(待官方确认)，乍一看相比上代的21nm进步并不大，而且依然是单颗Die容量最大128Gb(16GB)、页面尺寸8KB，只不过每个区块的页面数量从192增至256。

这种闪存每颗能封装最多八个Die，也就是单颗容量最大为128GB。

可靠性上，编程/擦写循环次数还是1000-3000，确实不多，但对付普通应用足够。

IMFT(Intel/美光)、三星NAND闪存对比表

840 EVO的主控是第五代MEX，本质上还是三核心的Cortex-R4处理器，只不过频率从300MHz提升到400MHz，并且引入了SATA 3.1(就像闪迪Extreme II)，可以支持队列TRIM指令。

它还支持AES-256硬件加密，并且已将PSID加密信息印在了每块硬盘表面的标签上，可以在丢失密钥后很方便地解锁，但数据就全没了。

三星还计划在9月份发布更新固件，升级支持TCG Opal、微软eDrive规范，从而在安全加密上媲美美光M500——它也是TLC。

而作为全球顶级的DRAM厂商，三星毫不吝啬地给840 EVO系列配备了大容量的LPDDR2-1066 DRAM缓存，120GB 256MB、250/500GB 512MB、750GB/1TB 1GB。其实没必要搞这么大，比如说512MB缓存对于250GB硬盘来说就太浪费了。

840 EVO规格表

840系列以低价取胜，840 EVO也会延续这一传统，不过官方标价比840目前的实际售价稍贵一些，这自然可以理解，大规模上市后肯定会更亲民。

三星表示，840 EVO将在8月初进入零售渠道。

固态硬盘价格对比表(数据来自美国亚马逊)

【840 EVO内部拆解】

840 EVO系列只有2.5寸7毫米一种外形规格，通过三个T5螺丝固定外壳，很容易拆卸。

意外的是，MEX主控并未使用任何散热措施，可见发热量控制得很好。

该系列使用了两种PCB，其中120/250GB的很小，只能放四颗闪存，不过即便是较大的(八颗闪存)也依然很小巧，不足以填满2.5寸的外壳。

840 EVO闪存、缓存容量配置表

1TB：八颗闪存，单颗八Die、128GB，冗余比例9.05％

750GB：八颗闪存，单颗四Die 96GB，冗余比例9.05％

500GB：四颗闪存，单颗八Die 128GB，冗余比例9.05％

250GB：两颗闪存，单颗八Die 128GB，冗余比例9.05％

120GB：两颗闪存，单颗四Die 64GB，冗余比例12.7％

【使用寿命：真心不是问题】

TLC闪存的耐用性相信是大家非常关心的。三星并未指明840 EVO系列能写入多少数据量，但提供了三年质保。SMART属性里看不到闪存写入次数，但是有一个损耗均衡指数(属性177)，初始状态下为100，使用过程中逐步减少(和写入量呈线性关系)，到了1的时候就差不多该换了，但实际上此时仍然能够正常使用很久。

840 250GB之前计算出来的编程/擦写循环是1000次，写入量大约242TB，不过实际远不止这些，有人写入了432TB才弄死它。

这里以最低端的120GB 840 EVO为例，写入4338.98GB数据之后，损耗均衡指数降低了3，那么从100到1可以写入大约144.6TB，相当于1129次编程/擦写循环。

然后我们假定用户每天的写入量为50GB(已经狠多了实际上大部分人也就10-30GB)，看看都能用多久。

怎么样？120GB的都够你用8年，1TB的更是能坚持超过63年！别忘了这还是特意加大了写入负载的情况下，轻量级使用的话120GB 10年也不是问题，但是谁的硬件更新周期能那么长呢？

即便是每日写入量加大到100GB，120GB仍能使用接近4年，到时候差不多也该换机器了。

另外，1129次编程/擦写循环是我们推算出来的，三星19nm TLC闪存实际指标可能会比这多上一倍多，那样的话120GB型号每天写入50GB也能使用16年。

【TurboWrite：写入性能猛增的奥妙】

这个我们已经在原理上解释过了，简单说就是将部分TLC三合一作为SLC使用来充当缓冲区，不再赘述，这里重点回答之前留下的疑问：如果写入量超过了缓冲区的容量，性能会如何变化？

用户在向硬盘写入数据的时候，实际是先行放到缓冲区里。一旦用户动作停止，缓冲区里的数据就会转入硬盘本身，这当然需要一点时间，但因为都是持续写入了，所以会很快，一般也就15-30秒钟。

事实上，即便是TurboWrite还没有完全完成转移的时候，你仍然可以继续新的写入。

理论和实际测试都表明，该技术的确能大大加快写入速度，在小容量型号上尤其明显，因为此时需要访问的闪存空间更小。

当然你应该能猜到，一旦缓冲区写满，而你还在继续写入数据，它就回归到TLC的水平上了。

120GB型号在加速状态下持续写入能达到400MB/s，然后就会迅速跌落到120MB/s。其它型号最高能超过500MB/s，但是缓冲区耗尽后也会出现不同程度的下跌，总容量越大损失就越少，750GB/1TB依然能超过400MB/s。

挺好的一个东西，尤其是对小容量硬盘来说。三星干得漂亮。

【RAPID：SATA固态硬盘享受PCI-E性能】

三星的牛逼之处在于，不仅硬件可以做得很好，软件工具同样出类拔萃，固态硬盘上的Magician就基本上无出其右者。它不久前刚刚全新改版，界面焕然一新，这次随着840 EVO的到来又增强了。

Magician 4.2 Beta测试版加入了RAPID模式，意思是“IO数据实时加速处理”(Real-time Accelerated Processing of I/O Data)。

这是840 EVO系列的独有功能，来自三星去年收购的美国存储软件开发商NVELO，致力于NAND缓存加速技术，但不同于使用闪存让机械硬盘变成混合硬盘，它借助系统内存和CPU资源缓存频繁访问的数据，让固态硬盘进一步提速。

RAPID模式打开后，会在Windows系统内安装一个过滤驱动，跟踪840 EVO的每一次读写(但注意目前仅支持单块硬盘)，并检查所有文件类型、尺寸、LBA，最终在区块级别上执行缓存操作，因此可以缓存一个文件经常访问的一部分，而不一定非得是整个文件，这对大文件来说非常有用。

对于大尺寸的多媒体文件，它还会自动忽略。

读取的缓存很简单，看看什么地址经常访问，拿过来就是了。写入就复杂点，特别是内存是崩溃、断电就丢失数据的，难保不出现什么意外。三星表示他们主要考虑把很多小的写入汇聚成较大的区块。 

RAPID缓存位于系统内存的非分页内核内存区域，这也为识别其是否工作提供了很简单的方法：打开Windows任务管理器，在性能标签留意未分页内存数量，系统待机大约一分钟后就会看到它大幅度增加。

目前，RAPID会使用不超过1/4的系统内存，或者最多1GB，看哪个先达到。

这种技术同样可以很明显地提升读写速度，比如队列深度1 4KB随机写入，IOPS、MB/s都能增加两倍以上，平均延迟也更低，但是峰值延迟会增加很多，CPU负担也会加重一些。

软件跑分也能得到10-75％的提升，不过最终还是受限于SATA 6Gbps的带宽，以及系统内存的速度。

为了验证缓存在起作用，我们再用ATTO考察考察，首先是2GB测试文件尺寸的持续读写速度：

读取方面，传输尺寸超过32KB之后才看到缓存真正起效，说明算法上是为较大区块优化的。注意，RAPID缓存最大限制为1GB，ATTO的测试文件为2GB，但仍能看出性能提升，最好的情况下能增加34％而一举超过700MB/s。

写入的情况有很大不同，4-32KB传输尺寸下提升很明显，最多接近60％，但之后就一般般了。这也是正常的，小尺寸的需要合并，大尺寸的就得避开以免意外丢失数据。

再把测试文件尺寸换成512MB：

64KB和之前毫无动静，但是接下来就爆发了，1MB的时候竟然达到了不可思议的3.8GB/s！

再往后就是急速跌落，但不是性能下来了，而是测试结果已经超出了ATTO所允许的范围。换言之，溢出了。

写入依然猛的吓人，128KB下突破了4GB/s，然后ATTO再次不知所措。

如此提升令人内牛满面，但别忘了它靠的是内存做缓存，因此理论上仍有崩溃、断电导致数据丢失的风险。虽然三星指出已经考虑了这些问题，Windows系统也有照顾，但除非你连接着UPS，或者使用笔记本，最好还是小心一些。

不管怎么说，一个软件功能就让SATA硬盘跑出了PCI-E的速度，三星确实有一套。

【随机和持续读写性能】

这是最传统的测试环节了，照例来自Iometer、AS-SSD、ATTO。

4KB随机读取：全线良好，120GB都明显超过了840 500GB。

4KB随机写入：120GB比较差，但是其它型号都非常高，足以媲美840 Pro。

4KB随机写入(队列深度32)：竟然超过了840 Pro，三星主控真是没得说。这下不能再埋怨TLC不够快了吧。

128KB持续读取：很强大，没得说。

128KB持续写入：120/250GB比较差劲，其它三款就很好了，有着840 Pro级别的表现。

不可压缩持续读取：不弱于高端固态硬盘。

不可压缩持续写入：同样出来拔萃，除了120GB。

持续读取速度VS.传输尺寸：各个型号差不多，750GB的后来反而稍慢一些。

持续写入速度VS.传输尺寸：120/250GB还是有些差距的。

【AnandTech SSD测试套装】

这部分是AnandTech自行编写的测试步骤，还有了2011、2013两个版本。原理比较繁复我们就不管了，只看结果。

平均数据率

平均服务时间

高负载平均数据率

高负载平均读取速度

高负载平均写入速度

低负载平均数据率

低负载平均读取速度

低负载平均写入速度

【性能一致性】

这也是AnandTech倡导起来的测试方式，能够衡量固态硬盘性能的稳定程度。简单而言，测试图标中的颗粒越集中、越水平，就代表一致性越好。

840 EVO 1TB

840 EVO 250GB

840 Pro 256GB

Curcial M500 960GB

SanDisk Extreme II 480GB

840 EVO的冗余空间比例更高，因此性能一致性甚至比840 Pro还要好，也超过了M500，但最好的还是Extreme II。

【TRIM】

经过一番折磨，120GB型号的写入速度跌到了可怜巴巴的大约30MB/s，因此尽管840 EVO的性能一致性很好，仍然建议预留一定的空闲空间，比如15-25％。

TRIM效果很好，立马满血复活，恢复到接近150MB/s，其中初始阶段的400MB/s来自于TurboWrite。

【功耗】

AnandTech在测试的创新性上真是令人佩服，功耗方面他们增加了一个新的状态：开启主机初始电源管理(HIPM)、设备初始电源管理(DIPM)的休眠状态功耗。

不过在Intel桌面平台上，即便开启它们，固态硬盘也不会真正进入最低功耗状态，因此需要移动平台才行，这里使用了改造的华硕Zenbook UX32VD。

休眠功耗(注意结果为毫瓦)：相当相当低，虽然还不如840 Pro但已经很接近，也比其它都好得多。

空闲功耗：840家族都很出色，不分彼此。

持续写入功耗：840 Pro仍然更好，但是840 EVO也已经足够好了，完胜840，行业对比也处于较低水平。

随机写入功耗：基本同上。

【结语：低端用户完美之选】

美光M500 960GB第一次带来了价位比较合理1TB固态硬盘，性能不是最好的但足够值得推荐，还支持eDrive等新特性。

三星840 EVO则对其发出了强有力的挑战，也给低端入门级用户奉上了一道精美大餐。它的速度更快，功耗更低，价格更便宜，未来也会支持eDrive。1TB的尤其值得追求容量的用户考虑，特别是美光M500并不容易买到。

新的主控，新的闪存，这都是非常吸引人的，而且三星在技术、软件方面很有创新精神，TurboWrite、RAPID的效果都非常非常很好，一个带来了MLC级别的性能，一个追赶了PCI-E的性能，而这正是其他厂商所缺乏的。别忘了，三星的固件支持同样非常到位。

有关TLC闪存的顾虑差不多可以彻底打消了，日常使用根本不是问题，性能一致性也很好。当然了，如果是在繁重的数据库环境里，TLC仍然是不推荐的。

总的来说五个字：五星级推荐。