日前，三星宣布在全球范围内率先批量投产采用3D垂直设计的NAND闪存“V-NAND”，而韩国巨头并没有让这种新型闪存闲着。仅仅一周后的2013年闪存峰会上，三星就发布了第一款基于3D V-NAND闪存的固态硬盘产品，名字就直截了当地叫做“V-NAND SSD”。

V-NAND SSD采用标准的2.5寸规格，厚度为7毫米，但主要面向企业级市场，已于本月初投产，不过出货时间未公布。

它提供了960GB、480GB两种容量版本，其中前者性能最佳，持续和随机写入速度提升超过20％、功耗降低超过40％(没有给出对比对象)，采用了64颗MLC 3D V-NAND闪存内核，每一颗容量128Gb(16GB)，同时搭配SATA 6Gbps主控制器。

三星宣称，3D V-NAND在极大提高存储密度的同时，还解决了闪存进入1xnm工艺时代后的可靠性和耐用性问题，V-NAND SSD的编程/擦写循环次数高达3.5万，相比之下25/20nm的普通型MLC NAND才不过3000次。

三星的3D V-NAND闪存内部采用三星独有的垂直单元结构，通过3D CTF电荷捕型获闪存技术、垂直互连工艺技术来连接3D单元阵列，可以将最多24个单元层堆叠在一起。

三星表示会继续研发下一代3D V-NAND，但没有透露何时会推向消费级市场。