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内存、闪存大涨价要来了!明年将出现缺货潮
快科技11月8日消息,据国内媒体报道,NAND Flash(闪存)控制IC厂商群联CEO潘健成7日表示,随着主要存储芯片厂相继减产,加上部分终端市场回温,NAND市况开始走强、报价上涨。
他还表示,近期客户拉货更趋积极,但市场供给持续因大厂减产受限缩,预期明年将出现缺货潮。
根据TrendForce集邦咨询最新研究显示,预估第四季度移动DRAM(内存)及NAND Flash(闪存)合约价均上涨,涨势或将延续至明年第一季度。
其中,第四季移动DRAM(内存)合约价季涨幅预估将扩大至13~18%。NAND Flash(闪存)方面,eMMC、UFS第四季合约价涨幅约10~15%。
据悉,此次涨价潮主要包括以下原因:
供应方面,三星扩大减产、美光宣布20%的涨幅等,持续奠定同业涨价信心的基础。
需求方面,2023下半年移动DRAM(内存)及NAND Flash闪存(eMMC、UFS)除了受传统旺季带动,华为Mate 60系列等也刺激其他中国智能手机品牌扩大生产目标,短时间内涌入的需求也成为推动第四季度合约价涨势的原因之一。
预计,这波涨势将延续到明年第一季度。