快科技2月8日消息，Intel已于日前接受了ASML的第一台新一代高NA EUV光刻机，但是台积电一直不为所动，可能要到1nm工艺时代才会跟进。

Intel计划将高NA EUV光刻机用于Intel 18A后的制程节点，也就是超过1.8nm，时间大概在2026-2027年。

Intel此前公布的路线图上，18A之后已经安排了三个新的制程节点，但尚未具体命名。

基辛格透露其中一个相当于1.5nm工艺，预计命名为15A，将在德国工厂量产。

台积电对于高NA EUV光刻机引入计划则一直守口如瓶，有多个消息来源称台积电还在观望评估，目前计划要等到1nm工艺节点才会上马，而时间要等到2030年左右了。

台积电目前正在冲刺2nm工艺，预计2025-2027年间量产，单芯片可集成超过1000亿个晶体管，单个封装可超5000亿个。

然后是1.4nm、1nm，其中后者计划2030年左右量产，将在单颗芯片内集成超过2000亿个晶体管，单个封装内则超过1万亿个，相比N2工艺翻一倍。

有趣的是，Intel也计划在2030年做到单个封装1万亿个晶体管，可谓针锋相对。