3月20日，2024年中国闪存市场峰会(CFMS 2024)在深圳举办，汇聚全球存储巨头。

江波龙携旗下品牌FORESEE和雷克沙(Lexar)带来了多款全新自研的存储产品，涵盖QLC eMMC存储芯片、LPCAMM2内存、CXL内存扩展模块、NM/microSD/SD存储卡等等，快科技也与江波龙多位高层进行了一番深入交流。

江波龙董事长、总经理蔡华波在演讲中，分享了江波龙从“存储器厂商”向“半导体存储品牌企业”全面转型升级的战略布局，以及如何突破主流经营模式20亿美元营收的天花板。

蔡华波表示，江波龙坚持自主研发，已实现较完整的存储芯片自主设计能力，掌握了SLC/MLC NAND闪存、主控芯片设计能力，尤其在SLC NAND闪存芯片已大规模量产。

同时，江波龙已构建起自有的高端封装测试与制造中心，包括并购的元成苏州、智忆巴西（Zilia），以及自建的中山数据中心存储专线等领先的封测与制造基地，涵盖了芯片设计、软硬件设计、晶圆加工、封装测试、生产制造等各个产业链环节。

产品层面，江波龙目前主打两条线，FORESEE是行业类存储品牌，雷克沙(Lexar)则定位国际高端消费类存储品牌，覆盖了存储芯片、U盘、SSD、存储卡、内存条等各类产品。

随着QLC开始逐渐普及，江波龙率先将3D QLC引入了eMMC产品，全球首发了FORESEE QLC eMMC，满足“降本扩容”的行业需求，尤其适合手机的大容量存储。

它基于江波龙自研主控WM6000，以及独特的QLC算法和自研固件，已达到可量产状态，性能和可靠性媲美TLC eMMC。

接口协议支持eMMC 5.1，顺序读写速度分别可以达到340MB/s、300MB/s，首发容量为128GB&256GB&512GB，根据市场需求可快速推出1TB版本。

对于江波龙为何首先在eMMC产品上导入QLC闪存，江波龙嵌入式存储事业部产品总监陈永解释说，QLC作为高密度、大容量、低成本的闪存介质，满足了人们对存储容量更大、成本更低的高要求。早在几年前，江波龙就开始思考QLC用于eMMC的可行性，并通过众多客户交流、深度市场调查，以及与NAND 闪存原厂的积极沟通，从市场和资源两方面发现了一定的实践意义。

经过研发人员深度摸底，江波龙发现，QLC闪存在带宽、读取速度、整体可靠性等核心性能方面，已经有了很大提升，且在SSD领域，QLC正在追赶TLC，部分性能指标已经基本没有差距。

针对QLC的特性，江波龙研究了固件算法，特别是LDPC纠错机制，算法已经接近理论极限。

此外，江波龙的自研eMMC主控WM6000，在立项之初便以高要求作为标准，与QLC搭配恰好能发挥最佳性能。

因此，QLC eMMC新品的发布，对于嵌入式存储产品发展来说具有重大的意义，体现了存储技术的突破。

此外，江波龙在消费级、数据中心领域均有QLC SSD的产品计划，目前处于研发预研中，旗下品牌雷克沙的消费级QLC SSD产品则已经上市，包括SATA、PCIe 3.0/4.0的产品，覆盖全性能段。

江波龙的另一款首发新品是FORESEE LPCAMM2内存，支持LPDDR5、LPDDR5x，单条容量达16/32/64GB。

它拥有远超传统SO-DIMM内存形态的高集成度，体积减少了近60%，能效提升了近70%，功耗减少了近50%。

还有更高的128-bit位宽，速率也可以最高做到9600Mbps，大大超过DDR5 SO-DIMM 6400Mbps。

对比板载集成的LPDDR系列，它的模块化形态不仅可扩展，而且可维护性更高。

江波龙DIMM部高级主任工程师张卫民也深入解读了LPCAMM2高集成度带来的众多显著优势：

一是空间利用效率的提升，这对于追求轻薄设计的电子设备来说至关重要，能显著减少主板空间占用，使设备更加紧凑。

二是性能的提升，高度集成的电路设计有助于提升数据传输和处理的速度，减少延迟，从而提高设备的整体性能。

三是能耗的降低，保持高性能的同时还节省能耗，延长续航时间。

四是生产成本的降低，高集成度设计可以减少生产过程中的物料和组件数量，简化生产流程。

五是可靠性和稳定性的提升，使用螺丝固定，同时减少连接器和接口数量，可以降低接触不良或松动等导致的故障风险，而且通过优化电路设计和采用先进的封装技术，可以进一步提高可靠性和稳定性。

江波龙首款采用自研架构设计的FORESEE CXL 2.0内存拓展模块也在此次峰会上发布并进行了演示，可满足AI密集负载对存储低延迟、高带宽的苛刻要求，大大降低内存成本，提高利用率。

它形态是EDSFF E3.S，基于DDR5颗粒，已有容量包括64GB、128GB、192GB，正在研发更大的512GB。

传输接口走的是最新PCIe 5.0 x8，理论带宽达32GB/s，可与支持CXL规范、E3.S接口的背板和服务器板无缝连接。

另一种形态则是AIC扩展卡，容量可以做得更大，现场展示的DDR4版本就已经做到了512GB，一个机箱插入8块就可以达到4TB，非常适合用来做存储池。

它走的是MCIO接口(未来会走PCIe接口)，系统通道是PCIe 5.0 x16，带宽可达128GB/s。

江波龙企业级存储事业部副总经理李翔透露，CXL 2.0 64GB/128GB/192GB版本预计在今年第一季度发布、第二季度上市，512GB版本预计第二季度发布并上市。

1996年诞生、2017年被江波龙收购的雷克沙一直是影像存储领域的标杆，这次重点发布了多款高端存储卡产品。

去年底，雷克沙成功发布了512GB容量的NM Card存储卡，这次又率先带来了1TB超大容量版本，可适配多款鸿蒙OS手机、平板。

它采用兼容eMMC协议的自研主控WM6000，并使用了元成苏州超薄闪存堆叠技术的先进封装工艺，读取速度可达90MB/s。

NM Card是中国提出的新一代的标准存储格式，面积比市场主流通用存储卡缩小了34%，与小巧的Nano SIM卡相当。

这一标准由华为、雷克沙等共同发起的TIMA智慧终端存储协会推动发展，雷克沙更是首个获得ITMA协会认证发布NM Card存储卡的品牌。

雷克沙事业部产品总监王东洋指出，当前，NM Card的应用主要集中在华为和荣耀手机上，特别是旗舰机型，同时随着512GB/1TB大容量版本的发布，更多手机终端品牌开始有了更大的兴趣，雷克沙也在协助进行相关的技术研究。

后续，雷克沙会协同ITMA协会、行业伙伴一起进行技术迭代，规划性能提速，积极探索汽车存储、AI存储等应用领域，相信市场空间将会进一步打开。

这是一款2TB大容量的microSD UHS-I存储卡(蓝卡)，搭载了WM5000自研主控和自研固件算法，同时应用了先进的12-Die堆叠技术，与超薄的研磨切割工艺。

它克服了封装技术瓶颈，在严格遵循尺寸标准的基础上，实现更高集成度和更大容量。

这是一款最高容量达到1TB的SD 3.0 UHS-I存储卡(银卡)，同样是WM5000自研主控和自研固件算法，它采用了创新的4Plane直写架构，实现了SDIO、NAND-IO的双效提速，可以很好地支持4K超高清视频的拍摄，读取速度高达205MB/s，写入速度也有150MB/s，读写性能均突破行业峰值。

“写速快才是真的快”，雷克沙SD 3.0银卡将为影像用户带来“持续使用一直快”、“用了很久依然快”、“很久不用还是快”的超快体验。

同步上市的还有免费的雷克沙数据恢复工具，让影像用户安心创作。

顺带一提，尽管业界一致认为，SSD在未来两年仍将是PCIe 4.0的天下，但是雷克沙预计在二季度正式发售首款PCIe 5.0 SSD NM1090，这也是雷克沙NM系列首款四位数字的型号。

它采用群联E26主控，搭配美光232层TLC闪存，容量1/2/4TB，支持SLC动态缓存，顺序读写速度最高12GB/s、10GB/s，并配备主动风扇散热、ARGB灯效。

在CFMS 2024上，众多存储厂商秀出自己的最新技术成果，江波龙作为在存储行业深耕25年的龙头企业，几款新品的亮相也充分展示了其技术实力，让外界看到了它转型为半导体存储品牌企业的底气，期待FORESEE和雷克沙（Lexar）两个品牌能在不同领域在用户带来更具性能和成本优势的产品。