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让三星B-Die看不到尾灯的国产长鑫A-Die颗粒!朗科绝影RGB DDR4-4266内存评测
2022-07-14 09:31:55  出处:快科技 作者:流云 编辑:流云     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

三、超频测试:1.35V稳超4600C19

测试平台如下:

让三星B-Die看不到尾灯的国产长鑫A-Die颗粒!朗科绝影RGB DDR4-4266内存评测

1、性能测试

让三星B-Die看不到尾灯的国产长鑫A-Die颗粒!朗科绝影RGB DDR4-4266内存评测

CPU-Z可以检测出一部分参数,朗科制造、长鑫颗粒。

内置有2组XMP参数,分别是4266MHz 19-26-26-46和4266MHz 18-22-22-42,电压都是1.35V。

2组XMP设置分别组了测试,以下测试都是基于Gear 2模式。

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4266MHz 18-22-22-42 下,内存读取、写入复制带宽分别为62GB/s、61.7GB/s、58GB/s,延迟55.1ns。

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4266MHz 19-26-26-46下,写入复制带宽分别为61GB/s、61.5GB/s、57GB/s,延迟62.3ns。

这里的读写速度变化不大,主要是延迟增加了不少,从55.1ns直接到了62.3ns。

2、超频测试

让三星B-Die看不到尾灯的国产长鑫A-Die颗粒!朗科绝影RGB DDR4-4266内存评测

在XMP1模式下超频到4600MHz时,时序不变,电压依旧是1.35V,VCCIO与VCCSA电压自动,分别为1.056V和1.312V。

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实测内存读取、写入、复制速度分别为65.8GB/s、66GB/s、62GB/s,延迟54.2ns。

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超频到4800MHz时,时序还是19-26-26-46,但需要将电压加到1.45V才能稳定,VCCIO与VCCSA电压依然是1.056V和1.312V。

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实测内存读取、写入、复制带宽分别是69GB/s、69GB/s、64.5GB/s,延迟为52.5ns。

3、稳定性测试

让三星B-Die看不到尾灯的国产长鑫A-Die颗粒!朗科绝影RGB DDR4-4266内存评测

使用Memtest Pro 4.3测试超频后的稳定性,运行了近2个小时,进度达到了270%依然是0报错,证明了朗科绝影RGB DDR4-4266内存可以在1.45V的电压下能稳定在4800MHz C19频率下运行。

责任编辑:流云

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