四、总结：高频低时序DDR4会是游戏玩家首选

随着DDR5时代的来临，DDR4内存看似已经出沦为明日黄花，但是如今DDR5内存也有明显的缺点。

第一是价格太贵，就算是如今价格大降之后，其售价依然是同容量DDR4内存的1.5~2倍。

第二是延迟太高，DDR5内存大都CL40起步，过高的时序和延迟导致即便是5200MHz频率的DDR5内存，其游戏性能也仅仅只是与低时序的DDR4 3600MHz相当。

考虑到12代酷睿和未来的13代酷睿处理器依旧支持DDR4内存，而高频的DDR4内存凭借其极低的延迟，游戏性能可以轻松碾压DDR5，所以近一两年对于游戏玩家来说，仍然可以优先考虑高频低时序的DDR4内存。

再来说说朗科绝影RGB DDR4-4266内存。

1.35V 4266MHz C18已经令人叹为观止了，然而经过超频我们发现，它竟然能在1.35V电压下超频到4600MHz C19。

单论这个成绩，可以花式吊打各类特挑的B-Die、CJR、DJR内存，长鑫颗粒能够做到这样的程度，是我们先前没有想到的。

三星B-Die要达到同样的频率和时序，可能需要1.5V、1.6V甚至更高的电压。

如果继续往上超，绝影DDR4 4266MHz内存需要1.45V的电压才能到4800MHz C19，此时内存的读写带宽已经逼近70GB/s，而延迟更是只有52ns。

相比之下，DDR5 4800MHz C40的带宽虽然也有70GB/s，但其延迟则高达85ns，游戏性能被4800C19的DDR4内存甩了几条街。

当前，如果12代酷睿是追求极致的游戏性能，显然高频的DDR4内存会是更合适的选择。